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LEVEL=88

Simucad的集成高电压IC设计工具套件提供了一个集成的设计流程，用于LCD 驱动器、 TFT 驱动器, 汽车, 工业, 电机控制, 笔记本电脑的功率管理 IC, PDA和其他的使用电池的电子元件。此套件受到Simucad独特的高电压SPICE建模性能和PDK的支持。

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主要特征

• 基于BSIM3级别88 SPICE模型具有最好的高压模型特征，包括自热、前进和后退模式、寄生不对称性和Rds的偏压依赖性
• 作为一项即可使用的服务，UTMOST III 模型参数提取软件提取高精确度SPICE模型，供一流的高电压芯片厂使用，
• 合作伙伴Foundry 支持SmartSpice模型和Simucad的 PDKs
• Simucad提供大型复杂的PDKs的快速开发
• 同样的环境贯穿Unix, Linux, 和Windows平台

Gateway 电路图编辑器

• 强大的电路图捕捉和编辑功能，可创建和修改多视窗、多图表和分层次IC设计。
• 与SmartSpice 电路图仿真器的无缝集成，创造一个配合行为模型，交叉探测、波形显示和分析的交互式的设计环境。
• 以共享工作空间管理多用户项目，可共享设计团队所使用的单元库和符号库。
• 从其他电路图捕捉工具平滑过渡 – 开箱即用的安装，无需咨询顾问，并且支持 EDIF 输入
• 简单易用-对新用户有在线帮助
• 高生产力的模拟设计环境提供了Pcells, 自动符号生成，实时仿真查看（步进式波形）和多用户schematic locking

• 自热
• 外部电阻Rds的不对称和偏压(Vds) 依赖性
• Vds上的迁移率降级依赖性
• 亚域斜率和反向短沟道效应
• Vgs 和Vbs上的Vsat 依赖性
• 高电压的饱和度里跨导Gm的减少
• 偏压依赖的饱和电压
• 所有寄生的不对称性（二极管和电阻）
• 操作的前进和后退模式

• 不使用宏模型即可精确SPICE仿真LDMOS器件
• Philips MOS20提供基于高压的LDMOS简约模型， 它包括沟道区域和栅极下漂移的物理效应
• LDMOS 模型适用于仿真侧向 (LDMOS), 直向双扩散 (VDMOS) 以及扩展漏极 (EDMOS) 器件

• 与 HSPICE™ 100% 兼容，包括网表、模型、分析特性和结果观察
• 为关键模拟电路设计提供最精确的电路仿真结果
• 最快速的SPICE 电路仿真器，并且是唯一支持多进程的 SPICE 仿真器，可实现并行作业操作   
• 使用多重求解程序和分步计算法则，有极好的收敛性  
• 最大的经过验证的 SPICE 模型集合，包括传统技术的模型 (双极、CMOS) 和最新技术的模型 (TFT、SOI、HBT、FRAM 等)   
•  配合Verilog-A选项，提供开放的模型开发环境和扩展的模拟信号行为级仿真能力  
• 通过 OASIS™支持 Cadence 的模拟电路设计流程  
• 使用新颖的瞬态非蒙特卡罗法仿真非线性动态电路中的瞬态噪声

Lateral PNP transistor.

• 与Gateway 电路图编辑器集成，使用LISA脚本语言配合Pcells，进行交叉探测和网表驱动的版图设计
• 简便易用，适用于各种技能水平人员-提供初学者在线帮助，和专家级强大的脚本书写功能
• 可定制的热键、宏指令和工具条、还有直接从Virtuoso™ 中导入工艺文件用于 GDS 层命名、颜色和点画法
• Guardian 物理验证
• 集成DRC/LVS/LPE，用于交互和批操作
• 以快速的自动转化Calibre™、Dracula™,和 Diva™来支持Mentor和Cadence 既有的DRC/LVS 规则文件
• 通过foundry证明的PDK广泛支持半导体工艺
• 使用网表交叉探测的快速、直观和分层次的LVS调试

• Gateway 电路图编辑器可导入EDIF 2 0 0 设计和符号
• Expert版图编辑器可读入Virtuoso™文件和读/写GDSII
• Guardian DRC/LVS 可解释Calibre™和Diva/Dracula runsets
• SmartSpice 可读入HSPICE™ 模型, 网表和命令

• 电路设计师自Gateway 电路图编辑器着手输入或解释设计， 驱使SmartSpice ，用于分析，转角， 以及从交互窗口进行电路优化
• 仿真和交叉探测之后，设计被转移到版图中
• 版图设计师使用电路图标示的Pcells， 进行DRC正确的版图和进行手工的版图调整。
• Guardian 物理验证提供了交互和批模式DRC/LVS/LPE 来完成设计循环