BSIM4v4

基本电流电压(IV)模型

包括:

• 一种针对袖珍/逆行技术的阈值电压模型
  
• 重新得出的Vgsteff构造，在温和反转区域可以获得更精确的gm、gm/ld和gm2/ld
  
• 带有新Abulk构造的容积电荷模型，具有强大的掺杂分布效应
  
• 三个迁移模型， MOBMOD=0和1 源自BSIM3v3.2， 新的MOBMOD=2 模型具有更高精准度的通用模型
  
• 一个新的输出电荷模型，对长通道器件和袖珍器件尤为适用。
  
• BSIM4中的栅感应漏极泄漏 (GIDL) 电流模型
  
• 对应于BSIM3v3.2模型（内部）或新的非对称模型（外部）的两个偏压相关Rds模型，为RF CMOS电路模拟提供更高的精确度
  
• 量子力学反转层厚度和高k栅介质模型，用于解释IV和CV
  
• 陷阱辅助隧穿和重组电流模型，用于晕掺杂技术
  
• 针对工艺感应应力（STI）的可扩展应力效应模型。器件性能会随活跃区的几何结构和器件在活跃区的位置而改变。
  

• 对电极栅（偏压相关）和本征输入（偏压相关）电阻建模型的四个选项，也可与多触点器件一同使用（见图1）
  
• 两个不同的开关用以在瞬态分析和交流（AC）分析中打开和关闭电荷短缺非准静态（NQS）模型。交流NQS模型和瞬态NQS模型都是基于相同的基本物理学。
  
• 灵活的内置衬底垫组网络，用于解释在基板衬底上的高频耦合。
  
• 栅电介质隧穿电流模型用于模拟通过栅极和衬底之间的电流以及通过栅极和通道区域之间的电流，即在源极和漏极终端之间被分割的电流

主要DC特性

A complete plot of all intrinsic capacitances.

寄生参数建模

• 综合全面的几何相关寄生参数模型提供了系列器件和多触点器件布局的建模能力
  
• 三个不对称源极/漏极结二极管IV模型：两个源自BSIM3v3.2的无电阻、无击穿模型，和一个新的带电组及击穿模型

噪声建模

• 闪烁噪声：一个简化模型和一个统一物理模型，均源自BSIM3v3.2，并在统一构造基础上做了些许改进
  
• 热噪声：一个长通道模型（源自BSIM3v3.2）和一个新的整体模型
  
  

• BSIM4 MOSFET 模型是SmartLib独立产品模型库中的一款。它可以在SmartSpice或UTMOST中作为14级被使用，之前由加州大学伯克利分校发行的0.0、1.0、2.0、2.1和3.0的旧版本同样受系统支持，可利用模型参数VERSION来进行使用。
  
• 模型的执行过程与加州大学伯克利分校2004年3月4日发表的最新模型描述完全一致。
  
• 可通过VZERO选项和多线程能力来获得进一步提速
  
• 诊断选项EXPERT受BSIM4支持，以帮助设计师发现收敛问题
  
• 三个可选STI模型：TSMC和伯克利β-版模型，以及最新采用了STIMOD选择器的伯克利模型