HiSIM HV

HiSIM HV 是一种基于表面电位的针对高电压 MOSFET 器件的模型。该模型兼顾了对称器件结构（ HVMOS ）和非对称横向扩散器件结构（LDMOS）。HiSIM容体MOSFET模型的所有特性及其延伸模型均保存在 HiSIM HV 中，主要包括漂移区的建模。

• 完整的基于表面电位的模型
  
• 兼顾对称（HVMOS）和非对称（LDMOS）器件结构
  
• 准饱和效应
  
• 自热效应
  
• 漂移区电阻
  
• 电容（包括 Cgd 衰减）
  
• 漂移区电离化影响效应
  
• 偏压相关重叠电容
  
• 二极管电流和电容
  
• 源漏电阻
  
• 温度相关性
  
• 通用迁移和高场迁移
  
• 通道长度调试
  
• 1/f, 热噪声和栅感应噪声
  
• 顺畅和持续的衍生产品以供快速精确的模拟收敛

非对称（ LDMOS）器件截面


针对 LDMOS 的 HiSIM HV 电位分布示意图

• 与 SmartSpice 中现有先进收敛算法相链接
  
• 内部警告和诊断提供了有价值的信息，以帮助发现收敛问题
  
• 器件内部变量（电流，电导，电容）同其他任何模型参数一样，可被容易获取
  
• HiSIM HV 与 VZERO 和 BYPASS 设置兼容，以实现更强大的高速性能
  
• HiSIM HV 与并行结构算法兼容

• 单一的总体参数设定——由于模型具有可比例性， HiSIM HV 仅需要一个可用于不同器件几何的单一总体参数设定。由于其表面电位的描述，非物理参数的使用大大减少
  
• 快速仿真时间——HiSIM HV 能够快速模拟电路，因为它消除了典型的在宏观模型中对子电路的使用。该模型是独立的，且对一个 HV 或 LDMOS 器件仅需示例一次。
  
• HV 或 LDMOS 器件特点的完整描述——国际集成电路模型标准化委员会 （CMC）所要求的所有主要器件模型特性均已包含在模型中。它的表面电位法可以灵活地将变化包含在 HV 或 LDMOS 结构中