Mextram

Mextram拥有Gummel-Poon模型所没有的特性：

• 偏压尔利（Early）效应
  
• 高注入效应
  
• 外延层欧姆电阻
  
• 外延层电阻的速度饱和效应
  
• 硬化饱和和准饱和效应，包括柯克（ Kirk ）效应
  
• 分裂基极集电极和基极发射极消耗电容
  
• 衬底效应和寄生PNP
  
• 电流拥挤效应和基极电阻的导电性调节
  
• 在本征基极（高频电流拥挤和超和相移）中的分布式高频效应的一阶逼近
  
• 基区复合效应（针对SiGe晶体管)
  
• 分级带隙的尔利（Early）效应（针对SiGe晶体管)
  
• 温度定标（temperature scaling）
  
• 自热
  

• Mextram与VZERO和 BYPASS选项兼容，以实现更快的仿真速度
  
• 内部警告和诊断会提供有价值的信息，以帮助发现收敛问题
  
• 用户友好参数检查：会让用户知道每一个剪辑参数
  
• 器件内部变量（电流，电导，电荷...）可以像任何其他参数一样被访问
  
• Mextram模型是SmartLib独立产品模型库中的一款。可以在SmartSpice中以level 503和level 504被访问
  

Mextram的第二个版本非常适用于高级技术：

• 先进工艺，如双层多晶硅或硅锗建模。
  
• Mextram也可用于高电压大功率应用。
  
• 在Mextram中可正常运行诸如在LDMOS技术中仿真NPN器件的类似罕见情况