DISCOVERY是一套互连寄生参数提取工具，包括STELLAR、QUEST、EXACT、CLEVER 这四个产品，其使用3D场解算器(field solver) 解决方案，提供高精度的参数提取。其独特的性能，用于从基本的无源器件到全芯片的版图参数提取(LPE)的不同等级IC设计。广泛的参数提取能力，尤其是3D和高频等优秀性能，是您获取最佳互连电阻电容寄生参数的不二选择。
| 主要特征 |
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- STELLAR –3D场解算器，用于全芯片设计或定义的关键线网的寄生电容参数提取
- QUEST –千兆赫范围内的电感器和金属导线的射频特性表征
- EXACT - 3D场解算器，用于为Mentor Calibre xRC, Cadence Dracula和Diva生成电容规则文件
- CLEVER- 3D工艺仿真器/3D场解算器，用于单元上的寄生参数RC提取
| 概观 |
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STELLAR的寄生电容提取专门设计用于大型模块如内存阵列，定制/标准模块，I/O, 逻辑模块，或者使用传统的基于多边形的提取器无法取得足够精度的关键线网。
CLEVER的寄生参数RC提取经专门设计，用于设计中的单个的单元(50晶体管)，在这些设计中，单元的延迟必须要减到最小极限。
EXACT是一个独特的引擎，为全芯片RC提取工具如Mentors Calibre xRC或Cadences DIVA等提供电容规则。
QUEST最终为射频设计师提供一个工具，可用来特性表征位于衬底上的无源器件或金属导线如何在千兆赫频率时运用麦克斯韦等式的自相容解决方案操作。
| STELLAR － 核心寄生参数提取器 |
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- 基于3D场解算器方法，可为完整模块或关键线网设计(超过5万个晶体管)取得精确的电容提取
- 通过计算多电介质层，虚拟金属，浮动电极等得到高精度
- 由GDS II版图和技术文件驱动
- 提取网表用于寄生参数的反标注
- 反标注寄生参数到提取的网表，输出SPF文件用于Spice仿真
STELLAR - STELLAR用来计算电容的后端3D工艺结构
STELLAR - STELLAR中的仿真的版图实例
| QUEST - 高频寄生参数提取器 |
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- 无源组件如电阻、电容以及电感器等和金属导线的高频(>> 1 GHz)特性表征
- 麦克斯韦等式的解结合了器件建模的高级的物理性质如趋肤效应和衬底电阻率
- 以GDS II版图和技术文件驱动，使任意形状(六角型螺旋或直角的)金属导线可行
- 提取无源组件的等效电路的优化参数
- 提取依赖频率的W元素传输线模型R、L、C、G参数
- 提取n端口的S参数
- 与法国CEI LETI研究院合作，实验验证到40GHz以上频率
QUEST - GDSII版图生成的典型螺旋电感器
| EXACT - 互连寄生参数特性表征 |
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- 生成用于Mentor Calibre xRC , Cadence Dracul和Diva的电容规则文件
- 图形化用户界面允许快速简便用于生成LPE规则文件的设置
- 基于高级3D工艺仿真的精确的依赖工艺的结构创建
- 使用3D场解算器精确提取电容
- 高级的数据拟合和优化计划确保生成的规则文件预仿真数据吻合
- 脚本驱动模式允许特性表征的批处理
- 嵌入的用于规则文件的脚本语言允许创建行为模型，来描述工艺和设计在电容规则上的影响
EXACT - EXACT中创建和使用的测试结构实例
| CLEVER - 基于物理的寄生参数提取器 |
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- 单元级的RC寄生参数(50个晶体管)的提取
- 精确的3D工艺仿真解决了提取的电阻和电容的光刻、蚀刻、淀积和氧化等的高级3D效果
- 通过计算多电介质层，虚拟金属，浮动电极得到高精度
- 由GDS II版图和工艺文件驱动
- 反标注寄生参数到提取的网表，输出SPF文件用于Spice仿真
CLEVER - 导入单元标准的GDS II SRAM版图文件
CLEVER - 金属表面上的光刻效应会大大影响到得到的电容
 
Rev. 110807_14
2007年12月1日
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