VICTORY Process 及其竞争对手

VICTORY Process是一个综合的全流程三维工艺仿真器， 可完全替代新思科技的SentaurusProcess、T-SUPREMIV (SUPREM4)和Coventor SEMulator3D (SEM)。 VICTORY Process的主要优势是它能对所有半导体技术工艺步骤进行基于物理的仿真。 VICTORY Process带有一套完整的内部开发的模型和开放式建模接口。 在使用开放式建模界面时，第三方模型能够很容易地被整合，使Victory Process非常适合于工业和学术应用。VICTORY Process与SILVACO Techonology CAD (TCAD) 的交互式工具以及Virtual Wafer Fab (VWF：虚拟晶圆加工环境)无缝整合。 VICTORY Process为现代半导体技术中用到的所有关键制造步骤 提供快速且精准的仿真。 22nm技术的CMOS器件 多栅极 FET (MuGFETS)： FinFET、FlexFET 和环绕栅极（GAA：Gate-all- around ) FET等 MEMS VICTORY Process主要优势： 复杂的多粒子通量模型，可以用于物理沉积和刻蚀工艺，并考虑衬底材料的再沉积效应 用于离子铣（IM：Ion Milling）和离子束沉积（IBD：Ion Beam Deposition）的高级模型 超精准的高速蒙特卡罗注入仿真 带有应力分析的三维物理氧化仿真 其他特点： 全面的三维扩散模型：费米（Fermi）模型、三串流（three-stream）模型、五串流（three-stream）模型 用于反应离子刻蚀（RIE： Reactive Ion Etching）、化学气相沉积（CVD：Chemical Vapor Deposition）和等离子刻蚀等的模型 使用GDS2版图或内部掩膜多边形规格的版图驱动的工艺过程 使用多线程对蒙特卡罗注入、扩散、氧化合物理刻蚀和沉积进行仿真，大幅度提供时间利用率 无缝链接至三维器件仿真器，包括结构镜像、自适应掺杂优化和电极设定

新思科技（Synopsys）的Sentaurus Process、T-SUPREMIV (SUPREM4)和Coventor SEMulator3D (SEM)是其各自所有者的商标