产品概观

SilvacoSilvaco提供了一整套 ‘TCAD至签收’的工具可广泛应用于:

  • 显示器:TFT、LCD、OLED
  • 电源(高电压/电流):DMOS、IGBT、SiC、 GaN、开关稳压器
  • 可靠性:软错误可靠性(SEE)、辐射(总剂量)、老化(NBTI,HCI)
  • 光:CCD、CIS、激光
  • 高级工艺开发:FinFET器件、FDSOI、3D NAND闪存
  • 模拟、高速I / O设计:PLL、ADC、SERDES
  • 基础库、存储器设计:标准电池、SRAM、DRAM、闪存

Silvaco的核心产品涵盖六大领域:2D/3D TCAD、3D RC提取、SPICE模型提取、自定义设计、SPICE仿真和电源完整性签收。核心产品及其功能的采样描述如下:

Product Bridge customDesign spcie simulation model extraction tcad clever powerintegrety
  • 从模块(模拟、SRAM、定制的数字)到芯片级的电源完整性签收,包括电源、EM / IR和热分析
  • 全定制设计流程,包括电路图输入、版图、仿真和验证
  • 许多代工厂采用的PDK大型组合,重点在于AMS、HV、BCD和CIS工艺
  • 16nm和10nm FinFET制备并行SPICE仿真器被扩展到FastSPICE应用
  • 自动化SRAM表征环境
  • 3D寄生RC提取器用于详尽、精确的FinFET SRAM提取
  • SPICE建模用于广泛的模型类型,包括用于电源器件的HiSIM_HV以及用于有机和氧化物TFT的UOTFT
  • 像素和互连RC提取用于TFT显示器
  • 3D TCAD产品用于大型应用,包括快速的FinFET成型、多单元IGBT的大型结构并行仿真、对沟槽MOS功率器件和CMOS图像传感器的强大而稳定的氧化仿真、高精度的SiC / GaN仿真、用于3D NAND闪存和STT MRAM、SEE和总剂量可靠性仿真的先进蚀刻

 

 

Silvaco的TCAD到签收流程在下面的图片中可视化。它包含一个从TCAD工艺仿真开始的流程(通过版图驱动-如果需要)。 TCAD器件仿真使得能够创建器件表征I-V/C-V数据,以用作SPICE模型表征工具的输入数据,从而生成一个可用在SPICE电路仿真器的可扩展的紧凑型或宏模型。流程的这一部分涵盖了工艺开发/集成。在设计方面,流程可从一个电路图或网表开始,然后发展到电路图/网表驱动的版图。版图可通过基于规则的提取器提取,或者如果需要详细的寄生参数,则通过一个3D RC提取器来提取。提取的网表结合模型文件被用来仿真和验证电路。在最后阶段,设计通过DRC和LVS以及通过EM /红外/热分析电源完整性来验证和签收。整个流程在进入生产周期之前就完成了“纸上工艺与设计”周期。随着工艺技术开发过程获得更多实际测得的数据,该流程的各个阶段可通过仿真和测定的数据而增强。例如,测量数据可用于校准TCAD仿真和SPICE模型提取。完整的TCAD至签收流程可以与Silvaco的统计分析或设计实验的工具整合以便进行寻路分析、假设情景和优化。