高级的CMOS工艺设计是从TCAD开始。长期以来运行真正的晶圆过于缓慢和昂贵,因此最好是使用TCAD的快速原型设计来确定一个集成 的流程,随后通过详细的仿真来完成工艺配方细节。

 
单元模式
工艺模式
用例 3D快速原型设计 2D/3D 详细仿真
蚀刻,淀积 几何 几何和物理
扩散 费米到五流(Five stream)
氧化 分析 应力和方向依赖
植入 分析, 蒙特卡罗
应力 温差,晶格失配,内在和外在应力  
连接到器件仿真 共形与德朗奈网格 共形网格

 

Silvaco具有完整的寻路分析可用于现代工艺体系结构,如FinFET器件和FD-SOI,以及其它新颖器件。支持用于存储器的离子增强蚀刻,这对垂直NAND闪存和STT MRAM是一项很重要的技术。

   
3D FinFET的寻路仿真 3D NAND闪存IECE蚀刻仿真

 

标准BSIM模型可以从TCAD模型提取,以形成新工艺设计和设计的工具环境之间的联系。对于FinFET SRAM和其他新颖结构,可使用全3D场求解器来取得精确的寄生数据。

3D Parasitic Extraction for FinFET SRAM

 

性能

TCAD
  • 快速原型和详细的物理仿真模式
  • FinFET器件/新器件寻路分析
  • FD-SOI器件的寻路分析
  • 先进的离子增强刻蚀用于三维NAND闪存和STT MRAM
  • 应力历史
  • 激光退火
  • 化合物半导体的扩散和植入
  • 坚固稳定的3D氧化
3D RCX
  • 对FinFET SRAM和标准单元进行3D RCX
Model Extraction
  • BSIM-CMG, BSIMSOI